芯片巨头英特尔公司和美国UCSB的研究人员宣布，他们成功研发了世界上首个采用标准硅工艺制造的混合硅激光器（Hybrid Silicon Laser）。该混合物激光器为未来计算机和数据中心的低成本、高带宽硅光子学设备扫除了障碍，把硅光子带到超级计算机和数据中心结构的世界。

在该混合物结构中，整合了InP的发光属性和硅的光路由能力，InP材料产生并放大光信号以形成激光器，而硅结构则充当激光腔来导光并控制发光——这将产生低价、兆兆级的光“数据通道”。光是通过一种“倏逝波耦合”物理效应进入硅结构之中的。当给InP加压时，光进入硅片的波导产生持续的激光束，该激光束可驱动其他硅光子器件。

最初英特尔的激光器辐射波长1.58µm，通过硅波导可调整波长。英特尔制作该器件的核心技术是：利用低温氧等离子体，在两种材料表面上形成一层薄薄的氧化层。在加热并加压后，该氧化层就像胶水一样将两种不同的材料粘合在单个芯片内。该方法避免了由于材料之间的晶格失配产生的问题，它同样适用于部分晶片、整晶片以及基于硅的光学整合的大规模生产。

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