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摘要：采用有效质量模型下的4×4 Luttinger Kohn哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39AI0.08As/InxGa1-xAs0.9-Sb0.1量子阱结构的能带进行了计算，求得了CI-HHI跃迁波长随In组分及阱宽的变化关系，并采用力学平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明通过在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分和阱宽，在InP基InGaALAs/InGaAsSB应变量子阱激光器中能够瞧实现1.6～2.5μm近中红外波段的激射波长。
关键词：InP基半导体激光器；应变量子阱；子带跃迁；锑化物
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