专利的唯一所有者Rothschild教授目前是哥伦比亚大学材料科学与工程的名誉退休教授。她在20世纪80年代与90年代进行了所谓的宽能带隙半导体的光电特性的基础突破研究。这项研究奠定了短波长发光（蓝光与紫光）二极管发展的关键性一步，短波长发光二极管现在被广泛地应用于消费类电子产品中。

    她在1993年对蓝光/紫外光发光二极管与激光二极管的宽能带隙半导体生产方法申请了美国专利权。这类发光二极管与激光二极管因为其低能耗、高稳定性、长寿命和高存储量被视为高级光源而广泛地用于各种装置中。

    在ITC侵权案中，争辩的焦点在于使用了她研究成果中发光二极管与激光二极管的氮化镓半导体材料。目前，氮化镓材料只应用在商业蓝光发射器中。据预测，到2009年各种氮化镓装置总市场额将达72亿美元。

    Rothschild教授认为Nichia Corp., OSRAM GmbH, Toyoda Gosei Co., Ltd. and Koninklijke Philips Electronics N.V侵犯了她的专利权。

    作为美国物理学会著名的女性物理学者，早在1982年Rothschild教授已被推选为美国物理学会成员。

    Rothschild教授于上世纪50年代与Bayside, N.Y.的Sylvania研究工作实验室合作，开始她的研究生涯；随后在Briarcliff Manor, N.Y.的飞利浦实验室从事研究工作。1985年她进入哥伦比亚大学担任材料科学教授。2008年被授予Barnard大学Distinguished Alumna Award。自1980年至今，Rothschild教授共发表过约90篇研究论文，进行过28场演讲。

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