美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国&nbs...

中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代^[1]...

一、产品介绍 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGB...

为满足市场多样化需求，近年来，国星光电积极推进功率分立器件封装产品的优化升级，并完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263及DFN贴片类优势封装结构的开...

非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用中国北京，2023年10月17日讯 – Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公...

MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管；它由金属、氧化物和半导体材料构成；分为N沟道型（NMOS）和P沟道型（PMOS）两种类型；具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优...

【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263－7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC^™ MO...

近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被...

作者：安森美产品推广工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电...

现可提供具备高效开关和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封装奈梅亨，2023年6月21日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextP...

无需人工计算，参数可随用户输入动态响应奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式...

由工采网代理的MPH343是一款输出电流为4.0A的智能栅极驱动光耦；非常适合驱动功率IGBT和MOSFET用于电机控制逆变器应用和电源系统中的逆变器；内置过流保护和软关...

RDS（on）额外降低40％，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用奈梅亨，2023年3月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批...

【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ ...

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3．75kVrms2023 年 1 月 30日，中国北京讯 － 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日...

全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用...

MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC／DC 转换器和高达100V的电源电压来驱动两个N沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容MO...

DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空间受限的应用中节省电力并简化散热管理奈梅亨，2022年7月27日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今...

DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和...

电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A...