比亚迪造芯片，掀开了车规级功率半导体国产化的新篇章
前不久，某科研团队的科学家成功研发出0.7nm二硒化钨二极管，这意味着这项技术可能打破半导体的3nm制程极限，芯片可以容纳更多的二极管。这次0.7nm的二硒化钨二极管研发成功，将为业界看衰半导体制程的人们一颗强心针，具有非常重要的意义。
2018年12月，复旦大学物理学系修发贤课题组在《自然》杂志上刊发了他们的研究成果，这也是中国科学家首次在三维空间中发现量子霍尔效应。据悉，修发贤教授课题组在拓扑狄拉克半金属砷化镉材料里观测到三维量子霍尔效应，通过实验证明电子的隧穿过程，迈出从二维到三维的关键一步。
2018年12月，《自然》杂志发表了一篇关于一代逻辑器件的研究论文，描述了一种由英特尔发明的磁电自旋轨道（MESO）逻辑器件，相较于目前的CMOS器件、MESO器件，有望把电压降低5倍、能耗降低10-30倍。这项技术有望推动计算能效提升，跨越不同的计算架构促进性能增长。
2018年11月，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这个设备就是光刻机，该光刻机由中国自主研制，分辨率达到了22纳米，未来还能用于制造10纳米级别的芯片，这是中国一项非常重大的技术突破。
美国研究人员领导了一项新科研项目，探索出一种涉及磁阻效应的新型拓扑绝缘体，这种拓扑绝缘体将改善计算机计算与存储。这种磁阻随机存取存储器正逐渐在计算机存储领域应用，这种拓扑绝缘体的材料有利于进一步改善磁阻随机存储电子单元写数据的能量效率。
2018年5月，天津大学传来好消息，天津大学的精密测试技术及仪器国家重点实验室庞慰团队，成功开发出了柔性射频滤波器，可直接应用于柔性电子，这是我国在柔性电子设备上的一大技术突破，这门技术可实现柔性电子设备间的高速无线通讯。
这款传感器能可移植并且可伸展，它非常适用于医疗行业，如用这门技术为很多患者定制个性化的康复方案。应用这门技术，人们可以控制传感器的降解，使其寿命与组织愈合时间保持统一，同时传感器的灵敏度也没影响。
。2018年8月，长春光机研制出世界上最大的口径碳化硅单体反射镜，标志着我国在这个制造领域已经跻身国际先进行列。据悉，这个4m量级高精度SiC非球面反射镜集成制造系统技术将应用于国家地基大型光电系统。
2018年3月，中国科技部高新司在高质量第三代半导体材料关键技术上实现了新突破，该项目完成了两英寸GaN自支撑衬底的规模化生产，实现了高Al组分AlGaN基深紫外光泵浦激射，开发了基于钙钛矿氧化物材料的紫外光电探测器件原型，为氮化镓的早日量产实现了技术的新突破。
近年来，全球很多研究机构开始将精力放在类脑芯片技术上，一直未能取得突破性进展。2018年2月，麻省理工的工程师设计了一种人造突触，可以实现精确控制流过这种突触的电流强度，类似离子在神经元之间的流动，这给人们设计像人脑一样工作的芯片大有帮助。
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