虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H－SiC衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增...
本文中通过光学显微镜，AFM，SEM和拉曼光谱研究了在每个晶片上获得的4H－Si薄膜的结构性质。结果表明，在每个晶片的内部区域可以获得高质量的同质外延生长4H－SiC薄膜...
本篇文章中提出了一种通过氯化氢化学气相沉积（HCVD）在4°切割基板上快速同质外延生长厚的4H－SiC薄膜的工艺优化方法。所使用的气体是HCl与SiH4，C2H4和H2的...
前不久，《自然》杂志网站在线发表了一个题为《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》的研究成果。这是天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心马雷教授团队在半导体石墨烯...
《金证研》北方资本中心 萧以/作者 韦司 汀鹭 映蔚/风控 2020年6月，上海证券交易所（以下简称“上交所”）受理了上海合晶硅材料股份有限公司...
前言： 碳化硅外延片，是指利用碳化硅材料进行外延生长的片状材料。 这个行业虽然在国内尚属于新兴行业，但却因其在半导体、光电、新能源等领域的应用前景广阔而备受关注。 ...
前言： 根据LaserFocusWorld的最新数据，全球半导体激光器的市场规模从2020年的67.24亿美元增长到2022年的87亿美元，预计2025年全球半导体激光...
前言： 当前碳化硅市场呈现欧美日三足鼎立的局面，面对下游需求持续增长、碳化硅产品供不应求的形式，国内外厂商均在加速研发、扩产，进军8英寸碳化硅。 8英寸是国产设备商的...
前言： 当前碳化硅市场呈现欧美日三足鼎立的局面，面对下游需求持续增长、碳化硅产品供不应求的形式，国内外厂商均在加速研发、扩产，进军8英寸碳化硅。 作者 |&...
作者：程诺，编辑：小市妹随着AIGC商业化应用的加速落地，背后所需算力基础设施的海量增长已成为必然趋势，推动着数据中心向更高速率和更高性能方向加速发展，并直接拉动光模块增...
作者：程诺，编辑：小市妹随着AIGC商业化应用的加速落地，背后所需算力基础设施的海量增长已成为必然趋势，推动着数据中心向更高速率和更高性能方向加速发展，并直接拉动光模块增...
国内半导体产业再传好消息！近日西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着西安...
安森美中国区车规功率模块产品线经理－ 陆涛中国汽车工业协会最新数据显示，2022年1月至11月，新能源汽车产销分别完成625．3万辆和606．7万辆，同比均增长1倍，市场...
信息和通信技术(ICT)蓬勃发展，提供了改变生活的服务方式，需要越来越多的数据处理、存储和通信。在过去十年中，ICT服务以指数级速度增长，预计到2030年将占全球用电量的...
外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层);然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层;再后来在外延层上注入基区、发...
大功率半导体激光器具有体积小、易集成等优点，但发生在激光器的腔面处的光学灾变损伤（COD）会严重损害其输出功率提升和可靠性。为抑制COD，要对症下药，目前有外延再生长技术...
随着近期的市场需求下滑，晶圆代工成熟制程产能松动。有大陆晶圆代工厂开出第一枪，以8 英寸晶圆为主进行降价，降价幅度大概在一成上下，原因是避免产能利用率大幅滑落。8英寸晶圆...
知情郎·眼｜侃透天下专利事儿针对中国！日前，美国商务部工业和安全局（BIS）发布公告，称出于国家安全考虑，将四项“新兴和基础技术”纳入新的出口管制。这四项技术是1）能承受...
在第三代半导体材料中，SiC是商用化规模最大的一种，特别是在车用功率器件方面，SiC展现出了优异的性能，具备很大的发展潜力。然而，SiC材料制造过程中的一些限制和技术壁垒...
铟砷锑制备通常是采用熔体外延法，在砷化铟（InAs）衬底上外延生长铟砷锑厚膜单晶，铟砷锑外延层厚度可达100μm，与衬底之间晶格失配率降至最低，外延层位错密度大幅下降，晶...
