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11月25-27日,由深圳市龙华区科技创新局特别支持,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,深圳第三代半导体研究院...

近日,北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作在Advanced...

上世纪90年代初,随着日本、美国公司先后取得蓝宝石衬底led技术、碳化硅衬底led技术的突破,以半导体发光二极管(简称led)为代表的第四代光源应用,标志着人类绿色照明时...

上世纪90年代初,随着日本、美国公司先后取得蓝宝石衬底led技术、碳化硅衬底led技术的突破,以半导体发光二极管(简称led)为代表的第四代光源应用,标志着人类绿色照明时...

近几年LED技术发展迅速,取得衬底外延及芯片核心技术突破性进展。

砷化镓材料市场的走向只会带来少量的产量增长和进一步的收入下降。尽管砷化镓外延衬底需求量在2013年小有提升,然而其收入依然连续两年下降

Strategy Analytics砷化镓和化合物半导体技术(GaAs)服务发布最新研究报告《半绝缘砷化镓外延衬底市场预测:2012-2017》指出,砷化镓器件市场缓慢增...

技术发展和工艺改进,使LED成本大幅度下降,推动了LED应用的全面发展。为进一步提升LED节能效果,全球相关单位均投入极大的研发力量,对LED性能、可靠性进行深入的研究开...

国星光电于近日收到国科发财(2011)129号《关于下达2011年度国家高技术研究发展计划第一批课题经费预算的通知》,现将有关情况公告如下。

“十一五”863计划“半导体照明工程”重大项目课题“GaN基同质衬底外延材料生长技术”取得显著成果,日前顺利通过验收。

Bridgelux新近募集6000万美元,声明将攻关关键核心技术,如Si衬底上GaN外延技术和面板上芯片的空间设计等新封装技术,以继续拓展其在固态照明市场中的地位。

Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结,2008年半绝缘砷化镓(SI...

三安光电6月16日晚间公告,公司拟160亿元在长沙投资半导体产业化项目。近年来,三安光电在化合物半导体领域持续发力,长沙项目也是三安光电在泉州三安之后又一个聚焦化合物半导...

总的来说,LED制作流程分为两大部分:首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的晶圆,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积晶圆炉(MOCVD)中完成的。准备好制作GaN基晶圆所...

1、LED芯片的制造流程是怎样的?LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极,并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫,同时尽可能多地出光。渡膜工艺一般...

传统液晶市场沉寂已久,即便是OLED早早下场,在价格尚未具备足够优势之前,整体显示市场仍然不会面临太大的变化。市场调研机构IHS此前曾预计,在未来5年,OLED电视电视销...

苹果新品发布后,虽然再次被外界诟病缺乏创新,但“浴霸”三摄,还是让不少消费者“真香”,而前两年推出的Face ID则被称为苹果最后的创新,带起了手机厂商的学习效仿风。也正...

LED照明技术路线及长期以来的改进路线红色、绿色、蓝色LED发光二极管是由磷、砷、氮等的III-V族化合物如砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)以...

红色、绿色、蓝色LED发光二极管是由磷、砷、氮等的III-V族化合物如砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)以及氮化镓(GaN)等半导体制成的。LE...

尽管氮化镓(GaN)基LED在景观照明、室内照明、道路照明、背光源等应用领域已经成熟,Mini/Micro LED高清显示的应用领域也正在培育,并呈现了迅猛发展的势头。然...

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