2020年12月21日，在5G、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等新基建战略方向下，以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体成为全球半导体技术和产业竞争焦点。Cree W...

碳达峰、碳中和已经成为全球关注的话题。国务院日前发布的《扩大内需战略规划纲要（2022－2035年）》多处提到要“大力倡导绿色低碳消费，推进制造业高端化、智能化、绿色化发...

国内半导体产业再传好消息！近日西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着西安...

宽禁带半导体材料突破原有半导体材料在大功率、高频、高速、高温环境下的性能限制，在5G通信、互联网、新能源、电子信息产业等前沿领域发挥重要作用。在摩尔定律遇到瓶颈，“中国制...

知情郎·眼｜侃透天下专利事儿针对中国！日前，美国商务部工业和安全局（BIS）发布公告，称出于国家安全考虑，将四项“新兴和基础技术”纳入新的出口管制。这四项技术是1）能承受...

随着绿色低碳战略的不断推进,提升能源利用效率和能源转换效率已经成为各行各业的共识,如何利用现代化新技术建成可循环的高效、高可靠性的能源网络,无疑是当前各国重点关注的问题。...

第一章 行业概况目前市场上的半导体材料以硅基为主，根据摩尔定律，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18－24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，但随着台...

前言:以小米等国产手机品牌的氮化镓快充为始,特斯拉主驱引入碳化硅MOSFET为承,再以“十四五规划”为重要节点,第三代半导体产业发展,终于迎来了爆发点,无论是资本市场亦或...

第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料,主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导...

第三代半导体材料又称宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料拥有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高热导...

半导体材料处于产业链上游，支撑制造和封装测试，一代技术依赖于一代工艺，一代工艺依赖一代材料和设备来实现，具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、成本占比低等特点。

半导体系列：1． 半导体全面分析（一）：两大特性，三大政策，四大分类！2． 半导体全面分析（二）：设计两大巨头、EDA三分天下、四大指令集！3． 半导体全面分析（三）：制...

报告要点1、本土IC设计亟待成长,精选赛道享双重红利IC设计作为半导体行业中极其重要的一环,是国产替代的重要组成部分。细分赛道来看,计算连接方面:5G、AIoT技术的持续...

报告要点1、功率产品族布局丰富,自有封装和成品化提升毛利公司拥有沟槽型MOSFET、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET及IGBT四大核心技术平台,覆盖12～1350V电...

5G基建及应用是2020年“新基建”六大方向之一，被列为中国制造2025计划中十个重点发展行业的首位。5G是当前国际竞争的焦点，未来10－20年发展的基石，我国已完成5G...

氮化镓（GaN）被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料，具有带隙宽、原子键强、导热率高、化学性能稳定、抗辐照能力...

氮化镓(GaN)被誉为继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料,具有带隙宽、原子键强、导热率高、化学性能稳定、抗辐照能力...

前言：作为第三代半导体材料新星之一的氮化镓（GaN），正在迅速燃爆市场。台积电2月21日宣布，与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。加速氮化镓（GaN）制程技术的开发，...

前言：作为第三代半导体材料新星之一的氮化镓（GaN），正在迅速燃爆市场。台积电2月21日宣布，与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。加速氮化镓（GaN）制程技术的开发，...