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2023 年 5月 16 日,中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑,以及低静态电流、3.5V-3...

逆变器、IGBT/MOSFET门驱动器、以及不间断电源(UPS)等大功率工业应用均需要一种具备高性能和核心保护功能的栅极驱动光电耦合器。为了帮助设计人员应对这一挑战,美阔...

由工采网代理的MPH343是一款输出电流为4.0A的智能栅极驱动光耦;非常适合驱动功率IGBT和MOSFET用于电机控制逆变器应用和电源系统中的逆变器;内置过流保护和软关...

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件,隔离电压为3.75kVrms2023 年 1 月 30日,中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日...

中国上海,2022年8月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线,推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5...

碳化硅(SiC)MOSFET的使用促使了多个应用的高效率电力输送,比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅(Si)MOSFET和IG...

新器件能够提高热效率,降低电力消耗和数据中心成本美国新罕布什尔州曼彻斯特 -  运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro Mi...

—TCK42xG系列支持外部N沟道MOSFET的背对背连接—中国上海,2022年2月9日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出其面向20V电源线路的...

2021年1月4日,德国慕尼黑讯 英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出全新 EiceDRIVER? 2EDL8 栅极驱动 IC 产品系...

2020年12月20日-12月26日,本周新品速递来袭!

东京电子器件有限公司(总部:横滨市神奈川区;社长:栗木康幸)开发了仅用1块电路板即可实现1700V/1200A级IGBT控制的“TD-BD-IGGD05K”IGBT栅极驱...

以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生产技术和器件制造水平最...

全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业A...

近年来,为了实现可持续发展的社会,对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求,GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被...

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率,验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案加利福尼亚州戈莱塔 – 20...

2023 年 2 月 15日,中国——意法半导体发布了单通道、双通道和四通道车规栅极驱动器,采用标准的PowerSSO-16 封装,引脚分配图可简化电路设计升级,增加更多...

  SS6343M芯片是由工采网代理的一款三通道半桥驱动器,用于驱动直流无刷电机;芯片集成了三个半桥,包括六个N沟道功率 MOSFET,以及前置驱动器、栅极驱动电源;为每...

11月15日-17日,2022慕尼黑华南电子展览会在深圳国际会展中心成功举办。慕尼黑华南电子展作为电子行业展览,是行业内重要的盛事。本届慕尼黑华南电子展览会汇聚近千家国内...

11月15日-17日,2022慕尼黑华南电子展览会在深圳国际会展中心成功举办。慕尼黑华南电子展作为电子行业展览,是行业内重要的盛事。本届慕尼黑华南电子展览会汇聚近千家国内...

  随着微电子技术和电力电子技术的发展进步,促进了新型大功率半导体器件和驱动控制电路的出现,现在逆变器多采用绝缘栅极晶体管(IGBT)、功率场效应管、MOS控制器晶闸管以...

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