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当地时间12月5日,II-VI公司宣布签署了一项总金额超过1亿美元的多年协议,为部署在5G无线基站的氮化镓(GaN)射频功率放大器提供碳化硅(SiC)衬底。这是II-VI...

当地时间12月5日,II-VI公司宣布签署了一项总金额超过1亿美元的多年协议,为部署在5G无线基站的氮化镓(GaN)射频功率放大器提供碳化硅(SiC)衬底。这是II-VI...

11月25-27日,由深圳市龙华区科技创新局特别支持,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,深圳第三代半导体研究院...

作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目,展开对新一代碳化硅衬底的研发。

紫外线虽然在太阳光中能量占比仅5%,但却广泛应用于人类生活。目前紫外光应用包括印刷固化、钱币防伪、皮肤病治疗、植物生长光照、破坏微生物如细菌、病毒等分子结构,因此广泛应用...

近日,北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作在Advanced...

尽管氮化镓(GaN)基LED在景观照明、室内照明、道路照明、背光源等应用领域已经成熟,Mini/Micro LED高清显示的应用领域也正在培育,并呈现了迅猛发展的势头。然...

LED衬底材料是半导体照明产业的基础材料,其决定了半导体照明技术的发展路线。目前,能作为LED衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等,但商用最...

自去年5月份,南昌光谷以5.2元/股的价格拿下长方集团控股权,长方集团的实际控制人变更为王敏后,南昌光谷正通过逐步受让长方集团股份的方式,不断加强对上市公司的控制权。

澳洋顺昌回答表示,公司是LED芯片的主要供应商之一。公司子公司顺昌集成主营业务是蓝宝石衬底,因市场环境变化,目前蓝宝石项目已暂缓建设。

本篇文章中,将GaN薄膜生长在具有不同表面台阶宽度的4H-SiC衬底上,并且通过X射线衍射(XRD)方法研究了台阶宽度对GaN薄膜质量的影响。

作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,打破国外垄断。

目前LED光源器件的总体发展概况:硅衬底LED近年发展及对LED光源器件产业的影响。

南昌光谷集团收购长方集团股份转让过户登记手续完成,本次股份过户完成后,南昌光谷集团正式成为长方集团的控股股东,王敏为长方集团的实际控制人。

外延生长(epitaxial growth)是目前生长单晶薄膜的常见方法,比如,目前在铜箔表面通过外延生长获得“米级”尺寸的单晶石墨烯。[1] 不过这种方法对于衬底要求较...

据麦姆斯咨询报道,电子产业半导体材料设计和制造领导者法国Soitec公司,近日宣布推出了突破性的新一代SOI衬底,该产品是其Imager-SOI产品线的最新一代产品,专为...

1月2日晚间,澳洋顺昌发布公告,公司非公开发行A股股票的申请获得中国证监会发行审核委员会审核通过。

据麦姆斯咨询报道,电子产业半导体材料设计和制造领导者法国Soitec公司,近日宣布推出了突破性的新一代SOI(silicon-on-insulator,绝缘体上硅)衬底,...

作为“南昌光谷”建设主战场的南昌高新区,今年前7个月硅衬底LED产业的主营业务收入为23.55亿元。

在国际大厂逐步退出和沿海LED企业寻求梯度转移之际,中部省会城市南昌凭借硅衬底LED技术优势,厚积薄发,由技术高地向产业高原迈进。

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