侵权投诉
当前位置:首页 > 搜索

文章发现样品的横光学(TO)声子波数与薄膜的曲率有关,这表明应力主要会影响SiO2 / SiC的界面。根据实验结果,本文作者提出“无应力”氧化膜可能是SiC-MOSFET...

虽然在商用化学气相沉积设备中可以在一次运行中实现多片4H-SiC衬底的同质外延生长,但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上,这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增...

本文中通过光学显微镜,AFM,SEM和拉曼光谱研究了在每个晶片上获得的4H-Si薄膜的结构性质。结果表明,在每个晶片的内部区域可以获得高质量的同质外延生长4H-SiC薄膜...

本篇文章中,将GaN薄膜生长在具有不同表面台阶宽度的4H-SiC衬底上,并且通过X射线衍射(XRD)方法研究了台阶宽度对GaN薄膜质量的影响。

本篇文章中提出了一种通过氯化氢化学气相沉积(HCVD)在4°切割基板上快速同质外延生长厚的4H-SiC薄膜的工艺优化方法。所使用的气体是HCl与SiH4,C2H4H2的...

近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所异质集成XOI团队张加祥研究员、欧欣研究员和中国科学院物理研究所合作,实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化...

半导体材料处于产业链上游,支撑制造和封装测试,一代技术依赖于一代工艺,一代工艺依赖一代材料和设备来实现,具有产业规模大、细分行业多、技术门槛高、成本占比低等特点。

半导体系列:1. 半导体全面分析(一):两大特性,三大政策,四大分类!2. 半导体全面分析(二):设计两大巨头、EDA三分天下、四大指令集!3. 半导体全面分析(三):制...

河北半导体研究所报道了一种大面积800μm直径的4H-多型碳化硅(SiC)紫外(UV)雪崩光电二极管(APD),其具有高增益(106),高量子效率(81.5%)和低暗电流...

美国《财富》杂志评选出了15家将改变世界的公司,这些公司的共同特点就是改变了各自领域的游戏规则,可能将会颠覆现有的产业,并带来新的机遇,半导体行业的入榜的是一家叫科锐(C...

露笑科技:衬底片年产2.5万片,预计明年6月扩到10万片

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作,在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电...

最近,第三代宽禁带半导体的碳化硅 SiC 被提及的比较多,各大厂家(像 Infineon、Cree、Rohm 等)也都在积极进行碳化硅产品的布局。

瑞典的研究人员在碳化硅(SiC)上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管(T-HEMT)和其他器件。

“宽禁带功率半导体”是指使用某一种宽禁带半导体材料制成的功率半导体器件,是相对于硅半导体材料制成的硅功率半导体器件而言的。

12月15日消息,近日,露笑科技发布公告称,其于2021年12月13日召开了第五届董事会第九次会议,审议并通过了《关于对合肥露笑半导体材料有限公司增资的议案》,公司与长丰...

粤公网安备 44030502002758号