近日，光学领域权威期刊Laser & Photonics Reviews（《激光与光子学评论》，影响因子:11）刊发了我院周圣军教授团队在发光二极管（Light-emit...

挪威和德国的研究人员在硅上使用石墨烯掩模生长出了氮化铝镓（AlGaN）纳米锥阵列。

研究人员发现基于GaN通道中电子流的高电压和高频能力，在微波高功率放大器中有很好的应用。在保证不失真的强信号传输中，需要具有高功率密度；在雷达系统中，高功率扩展了其检测范...

瑞典的研究人员在碳化硅（SiC）上生长出更薄的IIIA族氮化物结构，以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管（T－HEMT）和其他器件。

在经历近十年的发展后，Glo的纳米线LED定于明年年初进军市场。尽管Glo生产的纳米线LED已进入市场很长一段时间，但明年年初将可买到高亮度的纳米线LED。

氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特...

氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特...

文︱朵啦图︱CASA2021年,随着各国于5G通讯、消费性电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升,驱使如基站、能源转换器(Converter)及充电桩等应用需求大增,使得...

随着消费电子产品、电动车、家用电器等产品更新换代，产品的性能也越来越受重视，尤其是在功率设计方面。如何提升电源转换能效，提高功率密度水平，延长电池续航时间，成为了新一代电...

目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管，从而提高了静电控制和驱动电流。