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未来半导体技术的提升,除了迎接摩尔定律带来的极限挑战以外,寻找硅(Si)以外新一代的半导体材料,也就成了一个重要方向。在这个过程中,氮化镓(GaN)成为近年来第三代化合物...

11月28日下午,英飞凌在深圳举办了CoolGaNTM 媒体见面会,英飞凌大中华区副总裁电源管理及多元化市场事业部负责人潘大伟、英飞凌科技奥地利股份有限公司电源管理与多元...

随着市场对高功率高电压材料的需求增长,全球第三代半导体材料开始备受关注。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐...

低碳化和数字化的趋势正在重塑经济结构,重新定义行业和社会的发展格局。那么在低碳化、数字化趋势下,如何用半导体提升整个行业的低碳化和数字化能力,以科技实现企业、社会的可持续...

众所周知,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,相较传统的硅材料半导体,具备许多非常优异的特性,如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力...

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