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2019年12月25日,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通...

中国上海,2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包...

器件适用于24 V系统双向开关,最佳RSS(ON)典型值低至10 mW,单位面积RS-S(ON)达业内最低水平宾夕法尼亚、MALVERN — 201...

插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统,可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能,...

摘要:传统硅基MOSFET技术日趋成熟,正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好,能够提高MOSFET的性能,是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率M...

2019年9月26日,专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments ...

2019年8月12日。日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款60 V TrenchFET 第四代n沟道功率MOSFET---SiSS...

2019年7月29日,意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26...

本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。

为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作,必须充分认识SiC 器件的短路机理。

摘要在当前全球能源危机的形式下,提高电子设备的能效,取得高性能同时降低能耗,成为业内新的关注点。为顺应这一趋势,世界上许多电子厂商希望在产品规格中提高能效标准。在电源管理...

摘要在当前全球能源危机的形式下,提高电子设备的能效,取得高性能同时降低能耗,成为业内新的关注点。为顺应这一趋势,世界上许多电子厂商希望在产品规格中提高能效标准。在电源管理...

导通电阻随温度变化率较小,高温情况下导通阻抗很低,能在恶劣的环境下很好的工作。

一、SIC MOSFET的特性1、导通电阻随温度变化率较小,高温情况下导通阻抗很低,能在恶劣的环境下很好的工作。2、随着门极电压的升高,导通电阻越小,表现更接近于压控电阻...

静电放电是指产品在制造、运输与安装过程中,如果处理不当,产品会受到静电放电或者浪涌电压的冲击,从而造成产品的损伤或者破坏。

单管拓扑主要包括Boost, Buck, SW Fly-back, SW Forward等等,本节以SW Fly-back-单管反激拓扑为例进行简单介绍。

对于同一系列的MOSFET(使用了相同的开发技术),Rdson*Qg或者Rdson*Qgd是相同或者近似的。也就是说,对于同一系列的MOSFET而言,如果选择了更小的Rd...

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计...

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30V和40V汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET——SQJ407EP和SQJ409...

2019年2月26日, 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations今日推出SIC1182K SCALE-iDriver。

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国家企业技术中心名单(全部)

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撤销的国家企业技术中心名单

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第26批国家企业技术中心名单

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光源控制器在机器视觉中的作用

光源控制器可以有效调节光源在机器视觉中的应用,减少使用过程中的不必要损耗,延长光源的 ...

智能视频分析-工地安全帽识别

倍特威视安全帽识别系统是督促工人佩戴安全帽的利器,可提高工人安全意识,将意外扼杀在摇 ...

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温度过高对LED显示屏有毁灭性的破坏

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