MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管；它由金属、氧化物和半导体材料构成；分为N沟道型（NMOS）和P沟道型（PMOS）两种类型；具有低功耗、高速度、小型化、可靠性优...

中国上海,2022年3月31日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一...

在IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、...

电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A...

中国上海，2024年2月22日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代^[1]...

MOS管也叫场效应管，它可以分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。NMOS也叫N型金属氧化物半导体，而由NMOS组成的电路就是NMOS集...

在新能源汽车的成千上万样零部件中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是最为重要的一部分。这是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，与MOSFET（绝缘栅型场效应管）结构功能...

2020年12月20日－12月26日，本周新品速递来袭！

对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。

氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度大于硅，氮化镓和碳化硅，在高功率应用领域的应用优势愈加明显。但氧化镓不会取代SiC和GaN，后两者是硅之后的下一代主要半导体材...

逆变器是电力电子技术和电气技术紧密结合的产物，被广泛应用于各种领域。光伏并网逆变器是整个光伏系统的心脏，地位非常重要。本文从元器件的角度“解剖”逆变器。

DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和...

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国&nbs...

四川美阔电子科技有限公司位于四川省遂宁经济技术开发区， 技术团队来自于台湾， 公司为台湾美禄科技股份有限公司分公司，隶属于台湾光罩。是一家从事功率半导体器件与集成电路设计...

作者：ADI公司   Rani Feldman，高级现场应用工程师简介为升压调节器选择IC的过程与降压调节器不同，主要区别在于所需输出电流与调节器IC数据手册规...

现在很多电动交通工具:电动自行车,电动汽车,电动滑板车等,这些电动交通工具的启动、停止很方便,背后是如何实现的呢?以电动自行车为例,车把上两个钳形制动手把均安装有接点开关...

日趋严格的CO₂排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车（EV）的发展。这为车载充电器（OBC）带来在未来几年巨大的增长空间，根据最近...

FinFET晶体管架构是当今半导体行业的主力军。但是，随着器件的持续微缩，短沟道效应迫使业界引入新的晶体管架构。在本文中，IMEC的3D混合微缩项目总监Julien Ry...

作为主流的新型电力电子器件之一，IGBT在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备，以及工业领域(高压大电流场合的交直流电转换和变频控制)等应用极广，是上述应用...

有人为你针对工业4．0、5G通信、智能汽车、清洁能源、物联网边缘节点这些热门应用，梳理其对基础支撑技术之一的电源正提出什么样的需求变化。