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前言:自1971年采用10000纳米制程技术以来,芯片制造领域在制程工艺方面的竞争从未停歇。随着科技进步,制程不断缩小,从5纳米开始,向3纳米和2纳米发展。现在,2纳米芯...

鉴于DRAM内存和NAND Flash市场已高度成熟,且成本更低,英特尔想要狙击三星并没有那么容易。此次新材料的发现,若未来能够大规模应用于旗下半导体,打破现有半导体材料...

三星电子宣布,三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学,发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron...

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