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DRAM，颠覆性技术突破！

2026-07-20 19:00

来源： OFweek人工智能网

当前主流动态随机存储器（DRAM）每存储1比特信息要消耗约20万个电子。复旦大学周鹏、刘春森团队7月17日在《科学》杂志发表的最新成果给出了另一条路径：单个电子即可完成同样的存储任务。这项被命名为"量子闪存"的技术，首次在27℃室温环境下观测到单电子稳定存储行为，0.5伏特存储窗口满足商业化落地标准。

这背后是一个逼近物理极限的命题。理论上"一电子、一比特"是存储密度的天花板。但单电子电荷量极小，观测其存储状态，如同在巨大水库中感知一滴水的波动。此前同类实验中，单电子状态难以在室温下稳定保持，量子行为无法清晰观测，非易失量子存储的工程化应用始终缺少理论支撑。

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