为了实现高效率低成本，电解制氢和储能系统对功率密度和开关频率的要求越来越高，英飞凌新一代IGBT技术（IGBT 7）凭借微沟槽（Micro Pattern Trench）设计，成为应对这一挑战的核心利器。

IGBT7从2019年问世至今，从首发的T7，到成为拥有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。

市场应用向高频化与高功率密度发展的趋势对功率半导体的散热提出了前所未有的挑战，因此我们准备了约3万字的功率半导体器件热设计系列文章，涵盖热阻、结温、热容等多方面知识，从热阻基础到瞬态热测量，从结温获取到PCB设计，为工程师的热设计难题提供专业、权威且实用的技术参考。

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