氮化镓
氮化镓（GaN）是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于宽禁带半导体之列。氮化镓是微波功率晶体管的优良材料，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力。
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Novel Crystal Technology全球首次量产100mm“氧化镓”晶圆
在新一代半导体材料中，日本公司又一次走在前列——日前Novel Crystal Technology全球首次量产了100mm（4英寸）的“氧化镓”晶圆。据日本媒体报道，Novel Crystal Te
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英诺赛科8英寸硅基氮化镓晶圆正式进入量产阶段！
6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司举办量产暨研发楼奠基仪式，宣布英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地正式进入量产阶段。该项目位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，一期投资80亿元，用地213亩，按当前计划，到2021年底，产能可达6000片每月
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GaN 氮化镓市场调查：2021 年增长率可达 90.6%
IT之家3月13日消息 TrendForce 集邦咨询近日发布了 GaN 氮化镓市场调查报告。报告显示，尽管 2018 年至 2020 年以氮化镓为代表的第三代半导体产业受到贸易摩擦、疫情影响增长受到
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国际丨台积电携手意法进军功率氮化镓市场
前言：作为第三代半导体材料新星之一的氮化镓（GaN），正在迅速燃爆市场。台积电2月21日宣布，与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。加速氮化镓（GaN）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓元件导入市场
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