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第三代半导体为近年新兴的技术,主要聚焦于碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体新材料领域的突破性技术发展以及新材料器件研发。

1.德国电信宣布在德国推5G网络7月4日,据外媒报道,德国电信业务主管德克·沃斯纳(Dirk Woessner)在柏林的一次发布会上公布推出5G网络。德克·沃斯纳表示,他...

多年来,Plessey一直将单片多像素LED Micro显示器视为户外可视增强现实显示器眼镜的未来,大力推动该技术的发展。

作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,打破国外垄断。

近日,从西安电子科技大学芜湖研究院了解到,国产5G芯片用氮化镓材料试制成功。据了解,该项成果是在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望...

在现实世界中,没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷,但是你每天用的电脑,手机以及电视等等,都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说,今天我...

在现实世界中,没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷,但是你每天用的电脑,手机以及电视等等,都会用到半导体元件。

不久前,Anker推出了全球首款采用氮化镓材料的充电器,型号“PowerPort Atom PD 1”,最大输出功率达到27W,体积却十分迷你。

氮化镓(GaN)被业界称为第三代半导体材料,被应用到不同行业的产品上。一般运用了氮化镓功率器件的产品在体积重量上会更为小型、轻薄化,这点在充电器上尤为明显。

GaN被誉为继第一代Ge、Si半导体材料,第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料,在光电子、大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。

近日,公司控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)成功研制“8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”。

研究人员使用低成本的2英寸蓝宝石衬底通过MOCVD生成准垂直vc-JFET。之后使用重n型掺杂GaN层实现背面“虚拟”接触(图1)。真正的垂直器件会使漏极触点穿过晶圆的背...

研究人员通过一种自上而下的技术来创建水平微丝,该技术与垂直导线随机放置和不均匀直径或曲率不同的波导生长方法相比,可以实现更好的生产重复性。 此外,该技术减少了对结构到另一...

随着市场对高功率高电压材料的需求增长,全球第三代半导体材料开始备受关注。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐...

在近日的业内电源展会上,英飞凌公布了最新的氮化镓材料应用,一款功率为65W的USB PD充电器。

Veeco Instruments Inc. 与 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一阶段的合作成果,双方共同努力,致力于为microLE...

ANKER GaN氮化镓充电器可谓吸引了全球眼球,高速高频高效让大功率USB PD充电器不再是魁梧砖块,小巧的体积一样可以实现大功率输出,比APPLE原厂30W充电器更小...

数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统...

日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓(GaN)中利用光电化学(PEC)蚀刻深层高纵横比沟槽的进展。

在大多数GaN / III-N生长过程中,p型层由于难以活化而留在最后,这通常涉及到通过加热样品以试图驱除样品内部的氢,从而钝化用于产生移动空穴载流子的镁的掺杂。

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