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据科技部消息,在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下,中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队深入研究锑化物半导体材料的基础物理、异质结低维材料外延生长和光电...

近日,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室牛智川研究员团队在锑化物半导体单模和大功率量子阱激光器研究方面取得重要进展。

近日,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室牛智川研究员团队在锑化物半导体单模和大功率量子阱激光器研究方面取得重要进展。

近期,中国科学院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋(GaAsBi)量子阱激光器研究取得新进展。

王庶民研究员领导的研究团队采用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料,并成功制备出目前发光波长最长(1.142微米)的电泵浦镓砷铋室温(300 K)量子阱激光器,突破之前1...

最近,中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室潘教青研究员在指导研究生从事大功率激光器研究中,设计并实现了一种含隧道结构的大功率量子阱激光器宽谱光源。

科乃特激光VENUS系列1064nm经过优化设计的量子阱半导体激光器,是一款为特殊应用而设计的激光光源。

研究人员通过在InP衬底上采用气态源分子束外延方法生长三角形量子阱作为有源区的激光器结构,克服InAs和InP衬底的大晶格失配,能获得比传统方势阱激光器更优的性能。

发光波长位于2-3μm波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、超长距离无中继通信、生物医学等领域而成为人们研究的热点。

2-3微米波段半导体激光器在光谱分析、气体检测、医学检查等方面具有重要的应用。I

近日,中国科学院半导体研究所采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温度(T=80℃)连续激射,激射波长2μm出光功率63....

近日,国际著名期刊《激光焦点世界》(Laser Foucs World)(2008年44卷第2期)报道了中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的InGaAs...

采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn 哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-x-As0.9Sb0.1量子阱结构的能带进...

近日,《Laser Foucs World》(2008年44卷第2期)报道了中科院半导体所与瑞典Chalmers理工大学合作研究的InGaAs量子阱激光器的最新成果,这种...

据麦姆斯咨询介绍,对电磁波谱太赫兹(TeraHertz,THz)波段中的辐射,包括红外和微波频率的研究,有望在天体物理学及生物成像等领域获得新的进展。

苏黎世ETH量子电子学研究所Jerome Faist小组的Lorenzo Bosco、Martin Franckie及其同事们实现了一种能在210K温度下工作的太赫兹量子...

激光技术已成为现代生活中不可替代的技术之一,不论是工业加工、医疗美容、光纤通信,还是近年来火热的无人驾驶、智能机器人等,都与激光技术息息相关。今天我们主角是半导体激光器,...

激光技术已成为现代生活中不可替代的技术之一,不论是工业加工、医疗美容、光纤通信,还是近年来火热的无人驾驶、智能机器人等,都与激光技术息息相关。今天我们主角是半导体激光器,...

提到院士,大家都会率先想到中科院院士,实际上还有一个中国工程院。与中国科学院相比,中国工程院院士偏向于在工程技术方面作出重大的、创造性成就和贡献。OFweek激光网将根据...

OFweek激光网编辑在慕尼黑上海光博会期间采访了山东华光光电子股份有限公司副总经理汤庆敏,一起探讨半导体激光产业前景。

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国家企业技术中心名单(全部)

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撤销的国家企业技术中心名单

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第26批国家企业技术中心名单

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