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发展锑化物半导体已成为我国第四代半导体核心技术发展的战略性方向之一。

据科技部消息,在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下,中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队深入研究锑化物半导体材料的基础物理、异质结低维材料外延生长和光电...

近日,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室牛智川研究员团队在锑化物半导体单模和大功率量子阱激光器研究方面取得重要进展。

锑化物半导体激光具有体积小、效率高、电驱动直接发光等优点,可实现1.8μm-4μm的中红外波段激光输出,在红外光电技术、化学气体及危险品监测等领域具有重要应用前景。

锑化物带间级联激光器  2017-03-24 15:53

锑化物带间级联激光器是基于量子效应和能带工程的新型半导体激光器,由杨瑞青教授首次提出,是通过导带和价带之间跃迁实现电子和空穴的辐射复合,每个有源区通过类似量子级联结构串联...

半导体所半导体材料科学重点实验室马文全研究员小组通过与美国俄克拉荷马大学杨瑞青教授课题组合作,采用杨瑞青教授设计的结构,利用分子束外延生长技术,解决了锑化物材料生长窗口窄...

近日,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室牛智川研究员团队在锑化物半导体单模和大功率量子阱激光器研究方面取得重要进展。

发光波长位于2-3μm波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、超长距离无中继通信、生物医学等领域而成为人们研究的热点。

中科院半导体研究所纳米光电子实验室马文全小组克服材料生长及器件工艺制作等诸多困难,目前已成功研制出锑化物二类超晶格中波、长波、甚长波及窄带双色红外探测器原型器件。

近日,中国科学院半导体研究所采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温度(T=80℃)连续激射,激射波长2μm出光功率63....

高德红外正在开展的重大事项,将重新确立其市场定位。作为公司重大转型的关键一步,高德红外拟通过定增募资的方式,拓展国际先进的红外尖端技术及核心芯片产品,并投建第四代反坦克导...

光电倍增管光阴极技术  2015-08-17 14:53

光电倍增管是一种真空管,由光入射窗、光阴极、倍增级和阳极组成。

电池一直是制约智能手机发展的瓶颈之一。并且,除了智能手机,太阳能电站、风电场也深受电池技术限制。这些场所亟需廉价、耐用且电量高的电池来存储电能。

近日,国内媒体纷纷报道,瓶装饮料的塑料瓶中含有致癌物质锑,引起了人们极大的关注。

光纤激光器以掺杂稀土元素的光纤作为工作介质,采用反馈器件构成谐振腔,在泵浦光的激励下,光纤内掺杂介质产生受激发射,进而形成激光振荡输出激光。

位于2~5μm中红外波段的激光在国防、医疗、通信方面有着特殊的重要应用。

欧洲将投资一百万欧元来进行锑化物(antimonide)量子点在数据存储应用上的研究。这个欧洲学术联合研究计划将于六月开跑,研究以三五族(III-V)量子点为基础的组件,...

采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn 哈密顿量矩阵对In0.53Ga0.39Al0.08As/InxGa1-x-As0.9Sb0.1量子阱结构的能带进...

采用光学吸收方法进行气体检测具备固有的特异选择性,是国际通用的标准方法。众多污染和有毒有害气体的基频特征吸收光谱都落于中红外(2-25m)波段,其吸收强度...

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撤销的国家企业技术中心名单

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第26批国家企业技术中心名单

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