新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表...

三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型（Normally－Off D－Mode）平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性...

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99％ 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案加利福尼亚州戈莱塔 – 20...

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e－mode）氮化镓器件的供应商奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣...

　　氮化镓化学式为GaN，由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表, 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。...

没有一种技术能够满足所有的需求。FinFET几乎走到了尽头,接棒的GAA-FET在制造方面的挑战屡见不鲜,而且成本太高,有多少代工厂能负担得起尚不可知。不过,幸运的是,这...

工程师可以使车用充电器和工业电源实现两倍的功率密度和更高效率2020年11月10日，德州仪器（TI）推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效...

宜普电源转换公司（EPC）宣布再多一个车用氮化镓（eGaN）器件（80 V的EPC2214）成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。

加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今...

新设计工具有助于加速两轮电动车市场的产品设计，并帮助系统工程师充分利用SuperGaN FET的优势2023 年 12月 21 日－全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供...

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日惊艳亮相在国际会展中心（上海）举行的慕尼黑上海电子展（electronica...

中国 北京，2023 年3 月21 日 —— 全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo? （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 （TO...

作者:安森美应用工程师Kevin Toth上桥 SmartFET 因其易于使用和高水平的保护而越来越受欢迎。与标准 MOSFET 一样,SmartFET 非常适合各种汽车...

Transphorm用于低功耗应用的高可靠性器件能简化电源系统的开发，减少元件数量；是18亿美元规模的适配器市场的成熟解决方案。加州戈利塔 －－ （新闻稿）－－高可靠性、...

5G越来越普及，手机内部各个功能块也越来越复杂，因为整体性能要不断提升，芯片元器件数量也在增加，与此同时，对小体积、高集成度又有越来越高的要求。这一点在射频前端体现得尤为...

公司内部以及合作开发的七款设计工具可以为45W至140W的适配器带来高性能650V氮化镓FET的优势加州戈利塔－－（新闻稿）－－ （美国商业资讯）－－高可靠性、高性能氮化...

前言：过去30年，摩尔定律很好预测了这种计算进步，但由于基础物理原理限制和经济的原因，持续提高集成密度变得越来越困难。目前的解决方案是通过开发提供大量存储空间的片上存储器...

“报告展示的GaN日常应用场景包括氮化镓汽车，及快充充电器。”作者：涂鸦君编辑：tuya出品：财经涂鸦越来越多的人在使用手机快充充电器的时候可能不经意间会发现氮化镓（Ga...

最近市场传言，芯片设计公司AMD将成为三星代工厂的第一个3nm客户。中国台湾DigiTimes的消息人士认为，由于台积电与苹果的密切关系使得AMD考虑选择三星进行3nm订...

来源 | semiengineering文︱BRIAN BAILEY编译︱编辑部随着GAA FET(全环绕栅极晶体管)逐渐取代3nm及以下的finFET(鳍式场效应晶体管...