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2019年9月26日,专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments ...

GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔前景。

更大的带宽、更高的数据传输速度意味着更大的功率、更高频率的需求,而传统的硅半导体已经无法满足这些需求,在20世纪90年代诞生的氮化镓技术则以其在高频下更高的功率输出和更小...

2019年6月12日,移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,推出 MMIC 功率...

日前,大连理工大学电子科学与技术学院教授黄辉团队发明了无漏电流“纳米线桥接生长技术”,解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题,研制出高可靠性、低功耗及高灵敏...

在LED显示器中,如果是一个全彩屏通常需要将红、绿、蓝三种LED晶片或灯管放在一起,从而构成全色谱所需的不同颜色。目前,一项新的研究表明,单个LED即可实现这一结果。

随着技术的发展,终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高。特别是随着5G的即将到来,也进一步推动了以氮化镓(GaN)第三代半导体材料的快速发展。

随着技术的发展,终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高,特别是随着5G的即将到来,也进一步推动了以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的快速发展。

在今年的CES上国内多家手机厂商发布了5G手机,从而将5G技术再次推向高潮,全球对5G的呼声越来越高,中国、英国、韩国、美国都已经开始部署5G基站,并展开测试。

国家新材料产业发展战略咨询委员会天津院特撰写了《5G战场必争之地系列③——第三代半导体高端材料GaN全球技术分析报告》,对其潜在市场蛋糕价值、大国布局竞争抢位、行业未来发...

本篇文章中,将GaN薄膜生长在具有不同表面台阶宽度的4H-SiC衬底上,并且通过X射线衍射(XRD)方法研究了台阶宽度对GaN薄膜质量的影响。

美国Akash Systems公司专注于开发和供应小型卫星(CubeSat)以及RF功率放大器。目前已获得美国联邦通信委员会(FCC)颁发的实验特别临时管理局(STA)许...

美国Akash Systems公司专注于开发和供应小型卫星(CubeSat)以及RF功率放大器。目前已获得美国联邦通信委员会(FCC)颁发的实验特别临时管理局(STA)许...

总部位于东京的三菱电机公司开发出首款超宽带数字控制的氮化镓(GaN)功率放大器,该款放大器将会兼容一系列专注于第五代(5G)移动通信系统的6GHz以下频段。

在最近项目“节能电力电子功能半导体结构研究”('Power Electronics 2020+')中正在研究一种新型半导体材料——钪氮化铝(ScAlN)。

大学、协会和电力中心的科学家们已经联合起来,研究一种可以更好地满足未来工业需求的部件及新型材料结构。现在,这些科学家正在研究一种也许大多数电子工程师也未曾听说过的新材料:...

目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备,如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si,射频(RF)开关主要基于C...

目前射频前端元器件基本均由半导体工艺制备,如手机端的功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si,射频(RF)开关主要基于C...

据外媒报道,欧司朗光电半导体公司(Osram Opto Semiconductors GmbH)发布了一款超快速激光驱动器(ultrafast laser driver)...

欧司朗光电半导体日前宣布,已经推出了一款用于激光雷达系统的超高速激光驱动器,该激光驱动器采用了高功率多通道表面贴装(SMT)激光器。

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